信越化学股份有限公司近日公布，已经将利用氮化镓(GaN)的半导体系体例造基板(晶圆)的直径扩展至300毫米，是传统产物的1.5倍，并已经最先供给样品。实现高质量厚膜GaN外延生长。它将作为数据中央（DC）中利用的下一代半导体的制造质料提供，数据中央的需求正于不停增长。信越化学将按照环境举行批量出产。
当提高于晶体上生长晶体薄膜的外延生长历程的效率时，增长衬底的尺寸轻易发生翘曲及分裂。解决这个问题的GaN兼容衬底可以与传统硅（Si）于统一出产线上利用，是以也有望降低成本。此前，它以150毫米及200毫米直径出售，但按照客户反。龀ち300毫米直径。
2019年，信越化学得到了美国Qromis公司（加利福尼亚州Chromis）开发的专门用在GaN生长的复合质料基板的许可，该基板名为“QST基板”。QST衬底具备与GaN不异的热膨胀系数，而且可以于与尺度Si衬底不异的衬底厚度的环境下按捺外延层的翘曲及裂纹。该公司继承将使用这一特征的年夜型基板贸易化。
与传统硅器件比拟，氮化镓功率器件具备更高的开关频率及功率密度，以和更高的功率转换效率及简化的拓扑布局。消费运用（如电源适配器）及工业运用（如数据中央电源及太阳能逆变器）已经获得广泛采用。于本文中，咱们将会商一种立异要领，以扩大GaN的制造能力，以增长其运用空间，促成单片集成，并于非专用在硅的Si兼容工场中增长晶圆直径。
【近期集会】
10月30-31日，由宽禁带半导体国度工程研究中央主理的“化合物半导体进步前辈技能和运用年夜会”将初次与各人于江苏·常州相见，邀您齐聚常州新城希尔顿旅店，解耦财产链市场结构！https://w.lwcUG环球,UG环球官网-.cn/s/uueAru
11月28-29日，“第二届半导体进步前辈封测财产技能立异年夜会”将再次与列位相见在厦门，承袭“延续去年，立异本年”的思惟，仍将由云天半导体与厦门年夜学结合主理，雅时国际商讯承办，邀您齐聚厦门·海沧融信华邑旅店共探行业成长！诚邀您报名参会：https://w.lwc.cn/s/n6FFne
-UG环球,UG环球官网-
项目经理微信
移动版官网
